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NCV8403, NCV8403A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
150
100
125
150 ° C
I D = 3 A
90
80
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
100
75
100 ° C
70
60
50
25 ° C, V GS = 5 V
100 ° C, V GS = 5 V
100 ° C, V GS = 10 V
50
25
3
? 40 ° C
4
25 ° C
5
6
7
8
9
10
40
30
20
1
25 ° C, V GS = 10 V
2 3 4
5
6
? 40 ° C, V GS = 5 V
? 40 ° C, V GS = 10 V
7 8 9
10
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
2.00
I D = 5 A
25
? 40 ° C
1.75
1.50
20
25 ° C
1.25
1.00
0.75
V GS = 5 V
V GS = 10 V
15
10
100 ° C
150 ° C
0.50
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
5
5
V DS = 10 V
6
7
8
9
10
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage
25
20
15
V GS = 5 V
V GS = 10 V
V DS = 10 V
100
10
1
0.1
150 ° C
100 ° C
V GS = 0 V
0.01
25 ° C
10
0.001
0.0001
? 40 ° C
5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.00001
10
15
20
25
30
35
40
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
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A9BAA-0205F FLEX CABLE - AFF02A/AF02/AFE02T
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GEC20DRTN-S734 CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD
相关代理商/技术参数
NCV8403DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 14A SINGLE N CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT1G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT3G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405A 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405ADTRKG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT3G 功能描述:IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6） 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1